高玉竹，在日本国立静冈大学（Shizuoka University, Japan），取得工学博士学位（PhD），并取得访问教授职位（Visiting Professor）。主要研究领域为Ⅲ－Ⅴ族红外材料及探测器，IEEE学会职业会员（IEEE会员号：93117174），中国光学工程学会委员，国家基金委项目评议人。

中日友好时代，在日本留学期间，发明了一种新的晶体生长方法—熔体外延法（melt epitaxy，简称ME），是一种改进的液相外延法，用熔体外延法生长出了长波铟砷锑（InAsSb）厚膜单晶材料。在国外和国内都有发明专利（日本专利号：特开2000－86379，中国专利号：201310397546.0），在国际科学期刊上发表了一批论文。当时晶体生长杂志（Journal of Crystal Growth）的编委，美国斯坦福（Stanford）大学的Robert教授，把熔体外延法评价为“液相外延的一个重要的新发展”。熔体外延法，被写进了世界著名科学出版社—英国威利（John Wiley & Sons, Ltd）出版的教科书里，书名是“电子学、光学、及光电子材料的液相外延”（Liquid Phase Epitaxy of Electronic, Optical and Optoelectronic Materials，Print ISBN: 9780470852903），取得了国际科学界的承认。

回国后，连续3次主持了国家自然科学基金面上项目。发表论文50余篇，其中SCI论文23篇，获授权发明专利2项。目前，用熔体外延法，已经研制出了非制冷型中长波铟砷锑探测器，是光导型单点探测器，器件上装有锗浸没透镜。在室温下（295 K），光谱响应的波长范围为2~10微米，在波长6.5微米处，峰值探测率D_λp*为1~5×10⁹cm·Hz^1/2·W⁻¹。响应时间为10^-1微秒量级，响应速度比非制冷型热探测器，快3个数量级以上。测量出的探测器性能指标，处于国际先进水平。这种非制冷型光子探测器，可使我国室温工作的红外整机的响应速度及抗干扰能力得到明显提高。